忆阻器、忆容器和忆感器是具有记忆特性的非线性元件, 隶属于记忆元件系统. 目前, 由于现有可购忆阻器芯片尚存在许多不足, 且忆容器和忆感器的硬件实物研究仍处于实验室验证阶段, 因此, 研究者们获取此类记忆元件硬件仍有难度. 为了解决这个问题, 建立有效的记忆元件等效电路模型, 以促进对记忆元件及其系统的特性和应用研究. 本文根据忆阻器、忆容器和忆感器的本构关系, 提出一种新型浮地记忆元件建模方法, 即采用搭建通用模拟器的方式, 在保证电路拓扑结构不变的情况下, 通过改变接入通用模拟器的无源电路元件分别实现浮地忆阻器、忆容器和忆感器模型. 相比于其他能实现3种浮地记忆元件模型的研究, 本文所搭建的记忆元件模型结构简单, 工作频率更高, 易于电路实现. 结合理论分析、PSPICE仿真及硬件电路实验结果的一致性, 验证基于该通用模拟器搭建记忆元件模型的可行性和有效性.

关键词：记忆元件, 硬件实验, 磁滞回线特性, 浮地模拟器